砷化鎵產業鏈

① 太陽能板的發電量

每平米電池板抄大概150w，根據光伏設計軟體算出來的是最佳傾角35度的情況下每天接收輻射量在4kwh/m²。如果是高效電池片，150w那麼效率在14.5%左右，每天電池板就能發電4*14.5%=0.58kwh，就是0.58度電。

你這個表的數據我不知道從哪裡來的，感覺不太對勁，輻射量最大的時候應該在6月左右，而你這里夏天輻射量小，冬天還大，所以怪怪的。根據你的數據算出來的結果是：14.5%*2.8=0.406kwh，就是0.406度電，有點少。

整個發電系統的效率，如果是小型的系統，應該在90%左右，也就是你每天實際得到的電量是以上兩個數乘以90%，即是0.58*90%=0.522度；0.406*90%=0.3654度。

或許是因為沈陽的污染，天氣什麼的原因，但是我還是覺得你的數據有問題。你再看下吧。

這個表是根據你的數據算出來的，著實太少了。

② led是什麼意思

LED是發光二極體，由含鎵（）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物製成。

當電子與空穴復合時能輻射出可見光，因而可以用來製成發光二極體。在電路及儀器中作為指示燈，或者組成文字或數字顯示。砷化鎵二極體發紅光，磷化鎵二極體發綠光，碳化硅二極體發黃光，氮化鎵二極體發藍光。因化學性質又分有機發光二極體OLED和無機發光二極體LED。

LED是半導體二極體的一種，可以把電能轉化成光能。發光二極體與普通二極體一樣是由一個PN結組成，也具有單向導電性。當給發光二極體加上正向電壓後，從P區注入到N區的空穴和由N區注入到P區的電子，在PN結附近數微米內分別與N區的電子和P區的空穴復合，產生自發輻射的熒光。不同的半導體材料中電子和空穴所處的能量狀態不同。

(2)砷化鎵產業鏈擴展閱讀：

LED的光學參數中重要的幾個方面就是：光通量、發光效率、發光強度、光強分布、波長。

發光效率和光通量，發光效率就是光通量與電功率之比，單位一般為lm/W。發光效率代表了光源的節能特性，這是衡量現代光源性能的一個重要指標。

發光強度和光強分布，LED發光強度是表徵它在某個方向上的發光強弱，由於LED在不同的空間角度光強相差很多，隨之而來我們研究了LED的光強分布特性。這個參數實際意義很大，直接影響到LED顯示裝置的最小觀察角度。比如體育場館的LED大型彩色顯示屏，如果選用的LED單管分布范圍很窄，那麼面對顯示屏處於較大角度的觀眾將看到失真的圖像。而且交通標志燈也要求較大范圍的人能識別。

波長，對於LED的光譜特性我們主要看它的單色性是否優良，而且要注意到紅、黃、藍、綠、白色LED等主要的顏色是否純正。因為在許多場合下，比如交通信號燈對顏色就要求比較嚴格，不過據觀察我國的一些LED信號燈中綠色發藍，紅色的為深紅，從這個現象來看我們對LED的光譜特性進行專門研究是非常必要而且很有意義的。

③ 核心晶元技術產業的股票有哪些

晶元技術產業股（個股）：
綜藝股份（600770）：
綜藝集團創建於1987年，起步於南通市通州區黃金村。集團成立20多年來，制訂了超越競爭的藍海發展戰略，以股權投資為橋梁，迅速切入具有自主知識產權和核心競爭力的高新技術產業，有計劃地堅定向現代化的高科技投資控股企業轉型，打造成功了以信息科技產業為主線的高科技產業鏈，完成了以新能源為龍頭、信息產業和股權投資為兩翼的產業布局，吸收了國內外一大批技術研發和運營管理專業化人才，形成了一系列在國內外市場中具有核心競爭力的骨幹企業，成為名副其實的現代高新技術產業投資集團。
士蘭微（600460）：
杭州士蘭微電子股份有限公司（上交所股票代碼：士蘭微，600460）坐落於杭州高新技術產業開發區，是專業從事集成電路晶元設計以及半導體微電子相關產品生產的高新技術企業，公司現在的主要產品是集成電路和半導體產品。
光迅科技（002281）：
漢光迅科技股份有限責任公司是武漢郵電科學研究院控股的高新技術企業。公司成立於2001年元月，總部位於武漢-中國光谷，注冊資本11000萬元人民幣。光迅公司主營業務為光纖器件，微光學器件，光波導器件等光纖通信無源器件以及光纖放大器、光通信儀表和集成光電子的研究、開發、生產、經營和技術服務。公司2009年在深交所中小板上市，股票編號002281，簡稱光迅科技。
光迅科技（002281）：
漢光迅科技股份有限責任公司是武漢郵電科學研究院控股的高新技術企業。公司成立於2001年元月，總部位於武漢-中國光谷，注冊資本11000萬元人民幣。光迅公司主營業務為光纖器件，微光學器件，光波導器件等光纖通信無源器件以及光纖放大器、光通信儀表和集成光電子的研究、開發、生產、經營和技術服務。公司2009年在深交所中小板上市，股票編號002281，簡稱光迅科技。
乾照光電（300102）：
廈門乾照光電股份有限公司成立於2006年2月，總投資超過3億元人民幣，是專業從事紅、黃、橙四元系LED外延片、晶元以及高性能砷化鎵太陽電池研發、生產和銷售的高新技術企業。
華力創通（300045）：
華力創通公司是國內最早進入嵌入式實時系統技術領域的公司之一。 華力創通為用戶提供國際領先的嵌入式開發平台--VxWorks/Tornado和PlatForm等Wind River公司的全線產品。

澳洋順昌（002245）：
江蘇澳洋順昌金屬材料股份有限公司（以下簡稱「公司」）於2009 年8 月28 日召開了2009 年第三次臨時股東大會審議通過了《關於變更部分募集資金投資項目實施方式的議案》，決定將1.5 萬噸/年鋁合金板加工物流配送項目由張家港潤盛科技材料有限公司實施變更為由張家港潤盛科技材料有限公司及其擬全資設立的子公司廣東潤盛科技材料有限公司（以下簡稱「廣東潤盛」）共同實施，並授權張家港潤盛科技材料有限公司（以下簡稱「張家港潤盛」）的管理層辦理廣東潤盛設立事宜。廣東潤盛由張家港潤盛獨家出資設立，注冊資本為人民幣6000 萬元，其中4500 萬元來自於募投資金。
恆寶股份（002104）：
江蘇恆寶股份有限公司前身是江蘇恆寶實業發展有限公司，經江蘇省人民政府於2000年9月28日以蘇政復[2000]187號文批准依法整體變更為江蘇恆寶股份有限公司，設立時股本為人民幣4,000萬元，由錢雲寶等7位自然人共同發起設立。公司於2000年9月28日取得江蘇省工商行政管理局核發注冊號為3200002101203（1/2）的企業法人營業執照。根據2004年7月9日公司2004年第一次臨時股東大會決議，原股東張義榮、徐欽鴻、錢科文和陳玉濤將其持有公司的部分股權轉讓給江浩然、潘梅芳和曹志新。股權轉讓後公司注冊資本仍為人民幣4,000萬元，錢雲寶等6位自然人為股東。
天喻信息（300205）：
武漢天喻信息產業股份有限公司成立於2000年11月，由其前身華中軟體公司改制而成，主要股東華中科技大學產業集團等。公司注冊資本5973萬元，是以智能卡、數據安全及相關的附件產品、增值服務為主營業務的高新技術企業，是國內最大的自主版權CAD軟體企業。
同方國芯（002049）：
晶源電子是同方國芯電子股份有限公司旗下，專業研發製造晶體材料及頻率器件的事業群，自1990年成立以來，一直專注於壓電石英晶體諧振器及振盪器的開發與生產。
公司產品涵蓋：DIP諧振器、SMD諧振器、SMD時鍾振盪器、VCXO、TCXO、OCXO、LED藍寶石襯底等25大類6000多個品種；從水晶生長、晶片加工、成品組裝到產品測試封裝完全自主生產，可全面掌控產品質量、生產成本與交貨期；建有產品研發實驗線及多個產品開發中心，可為客戶提供專項定製產品。

④ 請問，氮化鎵可以用來做半導體材料嗎

我查了下相關資料，發現氮化鎵可是新型的半導體材料呢，它具有高發光效率、抗腐蝕、化學穩定性好等特點，目前在Saphlux公司已經實現量產了。這公司也是由全球LED顯示領創企業利亞德參股的。

⑤ 中國高端通用晶元概況

我這里有一個副本。然後給你一個副本。

1月2日，2011
中國IC產業的發展狀況，中國IC產業的發展現狀IC產業的發展
關鍵詞：中國集成電路的現狀
集成電路產業是一個知識密集，技術密集和資金密集的產業，世界集成電路產業的快速發展，快速的技術變化。 2003年前後，中國的IC產業都從一個質或量並不發達，但沿帶的向東轉移，全球汽車行業，中國的穩定的經濟增長，龐大的國內市場，以及大量的人才潮，中國的IC產業已經成為新的世界集成電路製造中心。進入21世紀，中國必須加強電子信息產業的發展。這是推動中國經濟發展的支柱，促進科學的進步和技術的一個重要手段，以提高中國的綜合實力。 IC產業，電子信息產業基地，必須優先考慮的發展。只有那些擁有了堅實的集成電路產業，為了有效地支持了中國的經濟，軍事，科技和社會的發展，第三步發展戰略目標的實施。
，中國集成電路產業的快速發展，為2.22億美元和585億人民幣的銷售額，在1998年，中國的IC生產。到2009年，中國的IC生產了411億，銷售收入111億元，12年的生產和銷售增加了18.5倍和20倍，分別為38.1％的年均增長速度為40.2％，分別，與銷售的增長率遠遠高於同期全球年均增長速度為6.4％。其次，中國IC產業的顯著變化，2008年中國的IC產業在發展過程中的重大變化的一年。全球金融危機是不是唯一的世界半導體市場的衰退，以及產品顯著減少中國的出口，占約1/3的中國出口總額的，對電子信息產品的增長下降，相應減少的需求，其核心部件集成電路產品。人民幣升值，但也影響了行業的發展，一個不容忽視的因素，可以的，因為在國內銷售的集成電路產品直接出口佔70％左右，人民幣升值對出口貿易的影響具有重要的美元作為結算貨幣，人民幣兌美元升值1％，國內集成電路產業的整體銷售增長，在即將到來的2011年，為加快人民幣的升值將減少1.2至1.4個百分點，是一個問題。 ，產品銷售概述中國的IC中國IC產品銷售概述設定在2008年中國IC產業的周期性衰退的產業發展呈現一個增長季度季度下降只有124.682十億元，年銷售總額，比2007年減少0.4％，從未有過的負增長;一年四季的IC生產到四十一點七一四億美元，同比增長1.3％，與2007年相比，唯一的。近年來，中國的集成電路產品的生產和銷售，在圖1和圖2所示，由圖
圖1 2003-2008年中國集成電路產量增長
圖2 2003-2008年集成電路產品銷售額增加可見的是，在最近幾年，中國的IC產品銷售增加一年的一年，但增長緩慢的速度，這是因為中了5個年來的州立委員會文件第18號頒布後，中國的IC產業產品銷售已被該增加的平均每年增長速度超過30％的速度，這期間世界三倍的增長速度的集成電路，是一個國家的快速發展階段，在正常情況下，中國集成電路產業的平均每年增長率也將維持在1.5倍左右世界的增長率是已經高速的發展，因此，在2007年的年度增長速度，中國的IC產業逐漸慢下來應該是一個正常狀態的事務中的世界IC產業周期性低谷階段，年均增長率約20％仍是一種罕見的高速。從美國的次貸危機，世界經濟開始逐步擴展形式的世界金融危機，然後蔓延到實體經濟部門從2008年
影響中國的IC產業，到第三季度，國際金融危機影響顯著在第四季度爆發後，中國的集成電路產業銷售大幅下降，潛水表。圖3是一個過程，這個變化。
圖3 2006Q1-2008Q4的IC產品銷售收入與上一年年（季）的工業環境的改善，中國的IC產業的增長速度發展經受住金融危機的影響政策是非常重要的。 2008年1月，教育部，財政部和國家稅務總局頒布了多項優惠政策，企業所得稅的通知「（財稅[2008] 1號），高度重視集成電路企業享受所得稅優惠。最近通過的電子信息產業調整和振興規劃，又把「建立自我控制IC產業體系」作為未來發展的國內信息產業的三個關鍵任務的五個主要發展倡議明確提出「加大投入，集中力量實施的集成電路的升級。 「由國務院於2005年發布的」國家中長期科學和技術發展規劃綱要（2006━2020年）「（國發[2005] 44號），決定和安排的16項重大項目，其中包括」核心電子器件，高端通用晶元及基礎軟體產品「和」超大規模集成電路製造裝備及成套的一批重大項目的前兩列在2008年4月，國務院常務會議審議原則上批準的兩個重大項目的實施方案，特別涉及相關領域提供了一個良好的發展機遇。各級中國政府繼續實施積極的支持集成電路產業的發展及相關政策有一個積極的影響對中國集成電路產業的發展。第四，需求的IC產品市場在中國，近年來，需求的IC產品在中國市場的快速發展，中國的電子信息產品製造，呈現了快速發展的狀態的事務和關注的問題，即使在全球半導體產業的需求，中國的IC產品在國內和國際半導體行業的低迷和在2008年出現了負增長，
尋求市場仍然保持了增長的勢頭，這是維護信息產品製造業銷售的10％以上正增長。中國IC市場的需求在最近幾年中，量的變化情況如圖4所示。
2004-2008年間，中國的IC市場需求超過V，中國的IC產業的結構設計，製造和裝配和測試行業的行業同時增長，的水平?＆e和生產能力的半導體設備和材料產業鏈基本形成。有了一個數年以前的IC設計產業和加快發展的晶元製造和設計業，晶元製造業所佔比例逐漸增加，國內集成電路產業的結構變得越來越合理。設計行業的銷售在2006年是18.62十億元，一個增加49.8％，與2005年相比，2007年的銷售額22.57十億人民幣，比2006年增加了21.2％。晶元製造業2006年的銷售額為32.35十億人民幣，與2005年相比，同比增長38.9％; 2007年銷售397900000美元，相比2006年的增長速度，23.0％。包裝和測試產業，2006年銷售收入49.66十億元，同比增長43.9％，與2005年相比，2007年銷售62.77十億人民幣的增長為26.4％，較2006年。中國的設計業，晶元製造，封裝及測試業銷售在2001年分別為1.1億元人民幣，27.2億十億元，16.11元，分別占年度銷售總額的5.6％，13.6％，80.8％和產業結構不使用合理。在過去的五年，行業規模不斷擴大，在同一時間，在在IC工業結構逐步合理的設計業和晶元製造業所佔的比例顯著增加。中國的IC設計業，晶元製造，封裝及測試業銷售在2007年分別為22.55十億元，39.69十億人民幣，62.77十億人民幣，占年度銷售總額的18.0％，31.7％，50.2％，半導體設備和材料的研發和生產能力也越來越大。在設備方面，65納米開始導入生產，中芯國際與IBM 45納米技術的合作， FBP（平面凸點封裝）和多
晶元封裝（MCP）等先進封裝技術研製成功並投入生產，8英寸100納米等離子刻蝕機的自主開發和大角度離子注入機，12 - 英寸矽片的生產線，8英寸和12英寸硅單晶材料，開發了國內的硅晶片和光致抗蝕劑的生產能力和供應能力不斷增強。
但是在2008年，國內IC設計，晶元製造和封裝測試業均不同程度地受到市場低迷的影響，其中晶元製造業是最明顯的，每年的晶元製造規模的增長從23在2007年的％-1.3％，主要的晶元製造公司有閑置的容量，性能的下降;封裝測試業的訂單普遍下降，開工率，每年的增長率為-1.4％，IC設計業也受國內市場需求的增長放緩的影響，部分原因是由於的重點企業在技術升級和產品創新方面所作的努力，承受的市場需求疲軟的影響，每年的增長率保持正增長狀態，為4.2％，高於國內IC產業的整體增長。圖5。
中國集成電路產業的基本結構52008
六，集成電路技術的發展，集成電路技術的發展，技術創新能力不斷提高，不斷縮小與國外先進水平的差距。英寸生產線，從一開始的改革開放，發展到目前的IC製造工藝的12英寸生產線，以推進深亞微米級的包裝和測試了很多處理模塊從低端向R＆ D，先進的加工技術已經達到了100納米。高端，在SOP，PGA，BGA，FC，CSP，SiP和其他先進封裝形式的開發和生產取得了令人矚目的成就
大大提高了水平的IC設計，設計容量小於或等於0.5微米的企業比例已經超過了60％，設計產能0.18微米的企業佔了相當大比例的一部分，企業的設計水平已達到國內先進水平的100納米。國內IC設計公司的設計產能超過一百萬的規模的比例已經上升到超過20％的最大設計有超過50萬的水平。相當數量的IC已投入批量生產，不僅要滿足國內市場的需求，和一些還進入了國際市場。總之，IC產業是的核心戰略，在信息產業和現代製造業，它已成為的頂部優先順序的信息產業在一些國家，中國集成電路的發展行業在2011年鼓勵更好的發展環境，將進一步加大國家政府的支持下，新的扶持政策將盡快，以支持研究和開發的資金將增加的國內市場，中國IC產業更廣闊的空間將繼續保持較快的發展速度，佔全球市場份額的比例將進一步增加！
附錄：附錄：中國的IC產業發展大事記（摘自網路）的發展中國的IC產業大事記（摘自網路）在1947年，在美國貝爾實驗室發明了晶體管。在1956年，中國提出的「行軍」的科學，半導體技術的國家4緊急措施之一。在1957年，北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出的鍺晶體。XI中國社科院科學，應用物理研究所，二機部第十局開發的鍺晶體管。今年以來，中國已經開發出一種鍺點接觸型二極體，三極體（晶體管）1959年，天津制定的硅（Si）單晶。在1962年，天津制定砷化鎵單晶（GaAs）的編制的其他化合物半導體的研究奠定了基礎。在1962年，中國的研究製成硅外延工藝和開始，以研究凹版印刷，平版印刷過程。在1963年，河北研究所半導體，硅平面晶體管製成的。在1964年，河北半導體研究所開發了一個硅外延平面晶體管。1965年12月，在河北半導體研究所召開鑒定會，確定了第一批半導體DTL（二極體 - 晶體管邏輯）數字邏輯電路，並在國內首次發現。1966年底，上海工廠在組件武昌識別的TTL電路產品。雙極型數字集成電路這些小規模的，主要在主NAND門，以及與非驅動，及其「門，」或非「門，」或「門，以及NOR電路商標中國做出了自己的小規模集成電路。在1968年，國有東光電工廠（878廠），上海無線電19廠，於1970年建成投產，形成IC產業在中國，「啪」的形成。在1968年，的的上海無線電14廠第一次提出的PMOS（P型金屬 - 氧化物 - 半導體）電路（MOSIC）。打開中國的發展MOS電路的序幕，並在七十年代初期，永川，中國科學院半導體研究所（現在? -24），14家工廠和878株已研製成功的NMOS電路。
CMOS電路的發展。七十年代初，國家推出IC製造商，超過40內置IC工廠的熱潮。 1972年，中國的第一片PMOS LSI電路在四川永川，研究所半導體，成功地開發。在1973年，七家單位是引入一個單件設備從國外引進，期望建成七英寸工藝線最後只有北京878廠1976年11月，航天部陝西驪山771和都勻4433廠。，中科院計算所研製成功的10萬大型電子計算機電路用於中國社科院科學，109廠（現學院微電子中心） ECL（發射極耦合邏輯）電路，1982年，江蘇省無錫市江南無線電器材廠（742廠）IC生產線完成驗收投入這是中國第一次從國外引進集成電路技術，1982年10月，國務院為了加強全國計算機和大規模集成電路，建立了萬里副總理為組長的領導小組，「電子計算機和大規模集成電路領導開發的IC發展規劃，提出了」六個五「期間半導體工業進行技術改造。 1983年，長介紹，重復的項目，LSI的國務院領導小組，治散有序與無序，集成電路成立的北部和南部的基地和重點發展戰略，南方基地主要是指江蘇的北方基地，浙江，北京，天津，沉陽，一個點指西安，主要是支持航天。 1986年，電子部廈門集成電路發展戰略研討會，在第七個五年計劃「，中國的IC技術發展戰略的」531「期間提出的，在5微米技術，開發3微米技術，1普及微米技術，科學和技術，1989年2月，機電工程署處，在無錫舉行，「八五的IC發展戰略研討會」，以加快基地建設，形成生產，注重發展的專用電路，加強科研和支撐條件，振興集成電路產業發展戰略，1989年8月8日，工廠和永川半導體研究所，無錫分公司合並，中國華經742電子集團有限公司在1990年10月，國家規劃委員會和電氣系聯合舉辦在北京的領導和專家參加的座談會，向中國共產黨中央委員會的報告，決定實施九O八工程，在1995年，電子部第九個五年計劃「集成電路的發展戰略：以市場為導向的CAD為突破口，研究相結合，我們主動出擊，國際合作，加強招商引資力度，加強對重點工程和技術創新能力建設，促進集成電路產業進入一個良性的循環。電子部和國家外國專家局於1995年10月，在北京舉行的一個聯合論壇在國內和國外的專家獻計獻策，加快發展中國的IC產業。國務院在11月，工信部電子特別報告，以確定實施的909個項目。 1997年7月17日，上海華虹NEC電子有限公司，有限公司，上海華虹集團和日本NEC公司的合資成立，總投資1.2十億美元，注冊資本700萬美元華虹NEC是主要負責「909」工程超大規模集成電路晶元生產線項目。 1998年1月18日，「908」機構的工作成化涇工程通過對外承包接受，從朗訊科技公司進口的0.9微米的生產線已經有一個月的投票，6000的6英寸晶圓產能。 1998年1月，中國集成電路設計中心，以國內和國際用戶推出了熊貓2000系統，這是中國的自主研發的一套EDA系統，以滿足在亞微米和深亞微米工藝的需要，可以處理的規模百萬門級，支持高層次的設計。 1998年2月28日，中國第一家8英寸單晶硅拋光晶圓生產線的建成投產，
半導體材料北京有色金屬研究院國家工程研究中心。 1998年4月，集成電路「908」項目的九個產品設計及研發中心項目驗收批出9個設計中心，信息產業部電子第十五研究所，工業和信息化部在4個研究所上海IC設計公司的設計中心，尤先科，深圳，杭州東方設計中心設計中心，廣東專用電路，武器第二個14研究所，北京機械工業自動化和航空航天工業771研究所。這些設計中心，華晶六英寸生產線項目配套建設。 1998年3月，自行設計和開發，由西安交通大學開元集團微電子技術有限公司，有限公司中國第一個-CMOS微型彩色攝像頭晶元的開發成功，我們的願景晶元設計和開發工作，取得了可喜的成績。 1999年2月23日，上海華虹NEC電子有限公司，公司完成試流片的技術檔次從計劃的0.5微米至0.35微米的生產線，主導產品64M同步動態存取存儲器（S-DRAM），建設 - 和建成投產，標志著中國已經變成一個自己的深亞微米超大規模的集。集成電路晶元生產線。 2000年7月11日，國務院出台了若干政策「鼓勵軟體產業和集成電路產業」的發展，隨後又批准上海，西安，無錫，北京，成都，杭州和科學技術部深圳。共有7個國家集成電路設計產業化基地。 2001年2月27日，單晶直徑8英寸的硅拋光片國家高技術產業化示範工程建成投產有色金屬研究總院北京3月28日，國務院第36次常務會議通過超大規模集成電路圖設計保護條例「。 「2002年9月28日，在中國社科院科學的龍芯1號誕生，同年11月，第四十六屆研究所，中國電子科技集團公司成功開發了第一個6英寸直徑半絕緣砷化鎵單晶，實現我們的6英寸，直徑半絕緣砷化鎵單晶開發零的突破在3月11日，2003年，杭州士蘭微電子有限公司以市場，成為國內第一股IC設計，中星微電子在納斯達克上市的美國在2006年成功上市，立即行動，展訊通信於2007年在美國納斯達克上市的。國家集成電路產業園，在北京，天津，上海，蘇州，寧波，其他的集成電路產業，重點建設「十一五」專項規劃「，2008年。

⑥ 漢能再登2018中國500最具價值品牌榜了嗎

漢能再登2018中國500最具價值品牌榜， 連續三年居行業第一。

6月21日消息， 20日，由世界品牌實驗室(World Brand Lab)主辦的第十五屆「世界品牌大會」在北京舉行，會上發布了2018年《中國500最具價值品牌》分析報告。在這份基於品牌強度、財務數據和消費者行為分析的年度報告中，漢能位列本年度最具價值品牌榜第42位，品牌價值從2016年的628.95億元人民幣，到2017年的885.79億元人民幣，再到2018年的962.56億元人民幣，一年一大步，連續三年在新能源行業居於首位。

漢能首席內容官莊稀海(右一)在圓桌對話中發言，介紹移動能源的品牌戰略

在品牌建設上，漢能正經歷著「用薄膜太陽能改變世界」到「開創移動能源時代」的轉變。庄稀海認為，全球移動能源時代已經全面到來，能源將無處不在，隨影隨行。而移動能源的關鍵在於與其他行業融合發展，產生新的競爭力和創造力。漢能將不斷加大產品和解決方案的研發投入，賦能行業生態和城市生態，提供一攬子解決方案，用移動能源改變生活，共同引領世界走進移動能源時代。

據悉，本次發布500強榜單的世界品牌實驗室(World Brand Lab)是一家國際化、專業性的品牌研究機構，總部在美國紐約，由1999年諾貝爾經濟學獎得主、美國哥倫比亞大學教授羅伯特•蒙代爾(Robert Mundell)擔任主席，全資附屬於全球領先的戰略咨詢公司世界企業家集團(iceo.com)，專家和顧問來自哈佛大學、耶魯大學、麻省理工學院、牛津大學、劍橋大學等世界頂級學府。

來源：鳳凰網資訊

⑦ 西安半導體行業都有哪些

集成電路設計企業：

1、英飛凌科技（西安）有限公司

2.西安亞同集成電路技術有限公司

3.西安深亞電子有限公司

4.西安聯聖科技有限公司

5.西安中芯微電子技術有限公司

6.陝西美歐電信技術有限公司

7.西安愛迪信息技術有限公司

8.西安交大數碼技術有限責任公司

9.西安大唐電信公司IC設計部

10.西電科大華成電子股份有限公司。

(7)砷化鎵產業鏈擴展閱讀：

半導體分類：

半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物）。

以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。

半導體的分類，按照其製造技術可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。

此外還有以應用領域、設計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。

⑧ 我國氮化鎵生產巨頭

國內有多家氮化鎵龍頭企業，各自有主打產品，並沒有某一個企業壟斷了一種化工原料的現象出現。下面梳理一下國內比較知名的氮化鎵企業。

一、三安光電

化合物半導體代工，已完成部分GaN的產線布局，是氮化鎵的龍頭。三安光電主要從事全色系超高亮度LED外延片、晶元、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料、微波通訊集成電路與功率器件、光通訊元器件等的研發、生產與銷售，產品性能指標居國際先進水平。

二、聞泰科技

其安世入股的Transphorm獲得了車規級認證，車載GaN已經量產，全球最優質的氮化鎵供應商之一。

公司主營通訊和半導體兩大業務板塊，目前已經形成從晶元設計、晶圓製造、半導體封裝測試到產業物聯網、通訊終端、筆記本電腦、IoT、汽車電子產品研發製造於一體的龐大產業布局。通訊業務板塊包括手機、平板、筆電、IoT、汽車電子等領域。

三、耐威科技

公司目前的第三代半導體業務主要是指GaN(氮化鎵)材料的生長與器件的設計，公司已成功研製8英寸硅基氮化鎵外延晶圓，且正在持續研發氮化鎵器件。

北京耐威科技股份有限公司以感測技術為核心，緊密圍繞物聯網、特種電子兩大產業鏈，一方面大力發展MEMS、導航、航空電子三大核心業務，一方面積極布局無人系統、第三代半導體材料和器件等潛力業務，致力於成為具備高競爭門檻的一流民營科技企業集團。

公司主要產品及業務包括MEMS晶元的工藝開發及晶圓製造、導航系統及器件、航空電子系統等，應用領域包括通信、生物醫療、工業科學、消費電子、航空航天、智能交通等。

公司業務遍及全球，客戶包括特種電子用戶以及全球DNA/RNA測序儀巨頭、新型超聲設備巨頭、網路通信和應用巨頭以及工業和消費細分行業的領先企業。

四、南大光電

公司的高純磷烷、砷烷研發和產業化項目已經列入國家科技重大專項。高純磷烷和高純砷烷都是LED、超大規模集成電路、砷化鎵太陽能電池的重要原材料。

MO源是MOCVD技術生長化合物半導體超薄型膜材料的支撐材料。化合物半導體主要用於製造高亮度發光管、高遷移率晶體管、半導體激光器、太陽能電池等器件，在紅外探測、超高速計算機等方面的應用也有著光明的前景。

五、海陸重工

旗下江蘇能華微電子科技發展有限公有專業研發、生產以氮化鎵( GaN)為代表的復合半導體高性能晶圓，並用其做成功率器件。

蘇州海陸重工股份有限公司位於江蘇省張家港市開發區，是國內一流的節能環保設備的專業設計製造企業，目前並已初步形成鍋爐產品、大型壓力容器、核電設備、低溫產品、環保工程共同發展的業務格局。

(8)砷化鎵產業鏈擴展閱讀

一、氮化鎵在新型電子器件中的應用

GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研製高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術在GaN材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破，成功地生長出了GaN多種異質結構。

用GaN材料制備出了金屬場效應晶體管（MESFET）、異質結場效應晶體管(HFET)、調制摻雜場效應晶體管（MODFET）等新型器件。

調制摻雜的AlGaN/GaN結構具有高的電子遷移率(2000cm2/v·s)、高的飽和速度(1×107cm/s)、較低的介電常數，是製作微波器件的優先材料；GaN較寬的禁帶寬度(3.4eV) 及藍寶石等材料作襯底，散熱性能好，有利於器件在大功率條件下工作。

二、氮化鎵在光電器件中的應用

GaN材料系列是一種理想的短波長發光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜范圍。自從1991年日本研製出同質結GaN藍色 LED之後，InGaN/AlGaN雙異質結超亮度藍色LED、InGaN單量子阱GaNLED相繼問世。

目前，Zcd和6cd單量子阱GaN藍色和綠色 LED已進入大批量生產階段，從而填補了市場上藍色LED多年的空白。以發光效率為標志的LED發展歷程見圖3。

藍色發光器件在高密度光碟的信息存取、全光顯示、激光列印機等領域有著巨大的應用市場。隨著對Ⅲ族氮化物材料和器件研究與開發工作的不斷深入，GaInN超高度藍光、綠光LED技術已經實現商品化，現在世界各大公司和研究機構都紛紛投入巨資加入到開發藍光LED的競爭行列。

⑨ 太陽能電池是根據向日葵製作的嗎

是的。

x2伺服電機（包括安裝支架，便於組裝）

x4光敏電阻

x4 20 KOhm電阻

x1 RGB LED（共陰極）

x1 Arino Uno

x1麵包板

x18 M/M電線

x1太陽能電池板

我通過拆卸廉價的庭院燈並將面板串聯焊接來製造我的太陽能電池板。你可以在以下鏈接找到這些燈：太陽能燈花園。

第二步：工作原理：

邏輯該程序非常簡單：一旦在void setup（）中測量每個光敏電阻的串列值，就會計算出四個值的算術平均值：該值相當於影響面板的平均光強度，並且是整個程序所基於的參考值。

在void loop（）中，執行四個光敏電阻值的連續串列測量。為了使面板沿Y軸跟隨太陽，計算光敏電阻器A0-A1（存儲在down_averageD中）和A2-A3（存儲在up_averageD中）的平均值。之後，詢問「if」是否為「down_averageD》 up_averageD」。如果確實如此，則面板從光敏電阻器A0-A1接收更多光，因此如果相反，則必須向上移動。考慮到成對的光敏電阻A0-A2和A1-A3，對X軸進行相同的處理。

RGB LED的顏色從紅色切換為綠色，具體取決於測量的平均光量。空隙迴路中的四個光敏電阻，表示面板產生的能量。

步驟3：代碼＆amp;結構

結構是手工製作的：

為了保持伺服電機，我買了一些低成本的金屬支架，我用鉗子和錘子連續彎曲。伺服電機必須以90度的角度安裝在另一個上，這樣它們可以沿X軸移動一個，沿Y軸移動另一個。