砷化镓产业链

① 太阳能板的发电量

每平米电池板抄大概150w，根据光伏设计软件算出来的是最佳倾角35度的情况下每天接收辐射量在4kwh/m²。如果是高效电池片，150w那么效率在14.5%左右，每天电池板就能发电4*14.5%=0.58kwh，就是0.58度电。

你这个表的数据我不知道从哪里来的，感觉不太对劲，辐射量最大的时候应该在6月左右，而你这里夏天辐射量小，冬天还大，所以怪怪的。根据你的数据算出来的结果是：14.5%*2.8=0.406kwh，就是0.406度电，有点少。

整个发电系统的效率，如果是小型的系统，应该在90%左右，也就是你每天实际得到的电量是以上两个数乘以90%，即是0.58*90%=0.522度；0.406*90%=0.3654度。

或许是因为沈阳的污染，天气什么的原因，但是我还是觉得你的数据有问题。你再看下吧。

这个表是根据你的数据算出来的，着实太少了。

② led是什么意思

LED是发光二极管，由含镓（）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成。

当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光，氮化镓二极管发蓝光。因化学性质又分有机发光二极管OLED和无机发光二极管LED。

LED是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。

(2)砷化镓产业链扩展阅读：

LED的光学参数中重要的几个方面就是：光通量、发光效率、发光强度、光强分布、波长。

发光效率和光通量，发光效率就是光通量与电功率之比，单位一般为lm/W。发光效率代表了光源的节能特性，这是衡量现代光源性能的一个重要指标。

发光强度和光强分布，LED发光强度是表征它在某个方向上的发光强弱，由于LED在不同的空间角度光强相差很多，随之而来我们研究了LED的光强分布特性。这个参数实际意义很大，直接影响到LED显示装置的最小观察角度。比如体育场馆的LED大型彩色显示屏，如果选用的LED单管分布范围很窄，那么面对显示屏处于较大角度的观众将看到失真的图像。而且交通标志灯也要求较大范围的人能识别。

波长，对于LED的光谱特性我们主要看它的单色性是否优良，而且要注意到红、黄、蓝、绿、白色LED等主要的颜色是否纯正。因为在许多场合下，比如交通信号灯对颜色就要求比较严格，不过据观察我国的一些LED信号灯中绿色发蓝，红色的为深红，从这个现象来看我们对LED的光谱特性进行专门研究是非常必要而且很有意义的。

③ 核心芯片技术产业的股票有哪些

芯片技术产业股（个股）：
综艺股份（600770）：
综艺集团创建于1987年，起步于南通市通州区黄金村。集团成立20多年来，制订了超越竞争的蓝海发展战略，以股权投资为桥梁，迅速切入具有自主知识产权和核心竞争力的高新技术产业，有计划地坚定向现代化的高科技投资控股企业转型，打造成功了以信息科技产业为主线的高科技产业链，完成了以新能源为龙头、信息产业和股权投资为两翼的产业布局，吸收了国内外一大批技术研发和运营管理专业化人才，形成了一系列在国内外市场中具有核心竞争力的骨干企业，成为名副其实的现代高新技术产业投资集团。
士兰微（600460）：
杭州士兰微电子股份有限公司（上交所股票代码：士兰微，600460）坐落于杭州高新技术产业开发区，是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业，公司现在的主要产品是集成电路和半导体产品。
光迅科技（002281）：
汉光迅科技股份有限责任公司是武汉邮电科学研究院控股的高新技术企业。公司成立于2001年元月，总部位于武汉-中国光谷，注册资本11000万元人民币。光迅公司主营业务为光纤器件，微光学器件，光波导器件等光纤通信无源器件以及光纤放大器、光通信仪表和集成光电子的研究、开发、生产、经营和技术服务。公司2009年在深交所中小板上市，股票编号002281，简称光迅科技。
光迅科技（002281）：
汉光迅科技股份有限责任公司是武汉邮电科学研究院控股的高新技术企业。公司成立于2001年元月，总部位于武汉-中国光谷，注册资本11000万元人民币。光迅公司主营业务为光纤器件，微光学器件，光波导器件等光纤通信无源器件以及光纤放大器、光通信仪表和集成光电子的研究、开发、生产、经营和技术服务。公司2009年在深交所中小板上市，股票编号002281，简称光迅科技。
乾照光电（300102）：
厦门乾照光电股份有限公司成立于2006年2月，总投资超过3亿元人民币，是专业从事红、黄、橙四元系LED外延片、芯片以及高性能砷化镓太阳电池研发、生产和销售的高新技术企业。
华力创通（300045）：
华力创通公司是国内最早进入嵌入式实时系统技术领域的公司之一。 华力创通为用户提供国际领先的嵌入式开发平台--VxWorks/Tornado和PlatForm等Wind River公司的全线产品。

澳洋顺昌（002245）：
江苏澳洋顺昌金属材料股份有限公司（以下简称“公司”）于2009 年8 月28 日召开了2009 年第三次临时股东大会审议通过了《关于变更部分募集资金投资项目实施方式的议案》，决定将1.5 万吨/年铝合金板加工物流配送项目由张家港润盛科技材料有限公司实施变更为由张家港润盛科技材料有限公司及其拟全资设立的子公司广东润盛科技材料有限公司（以下简称“广东润盛”）共同实施，并授权张家港润盛科技材料有限公司（以下简称“张家港润盛”）的管理层办理广东润盛设立事宜。广东润盛由张家港润盛独家出资设立，注册资本为人民币6000 万元，其中4500 万元来自于募投资金。
恒宝股份（002104）：
江苏恒宝股份有限公司前身是江苏恒宝实业发展有限公司，经江苏省人民政府于2000年9月28日以苏政复[2000]187号文批准依法整体变更为江苏恒宝股份有限公司，设立时股本为人民币4,000万元，由钱云宝等7位自然人共同发起设立。公司于2000年9月28日取得江苏省工商行政管理局核发注册号为3200002101203（1/2）的企业法人营业执照。根据2004年7月9日公司2004年第一次临时股东大会决议，原股东张义荣、徐钦鸿、钱科文和陈玉涛将其持有公司的部分股权转让给江浩然、潘梅芳和曹志新。股权转让后公司注册资本仍为人民币4,000万元，钱云宝等6位自然人为股东。
天喻信息（300205）：
武汉天喻信息产业股份有限公司成立于2000年11月，由其前身华中软件公司改制而成，主要股东华中科技大学产业集团等。公司注册资本5973万元，是以智能卡、数据安全及相关的附件产品、增值服务为主营业务的高新技术企业，是国内最大的自主版权CAD软件企业。
同方国芯（002049）：
晶源电子是同方国芯电子股份有限公司旗下，专业研发制造晶体材料及频率器件的事业群，自1990年成立以来，一直专注于压电石英晶体谐振器及振荡器的开发与生产。
公司产品涵盖：DIP谐振器、SMD谐振器、SMD时钟振荡器、VCXO、TCXO、OCXO、LED蓝宝石衬底等25大类6000多个品种；从水晶生长、晶片加工、成品组装到产品测试封装完全自主生产，可全面掌控产品质量、生产成本与交货期；建有产品研发实验线及多个产品开发中心，可为客户提供专项定制产品。

④ 请问，氮化镓可以用来做半导体材料吗

我查了下相关资料，发现氮化镓可是新型的半导体材料呢，它具有高发光效率、抗腐蚀、化学稳定性好等特点，目前在Saphlux公司已经实现量产了。这公司也是由全球LED显示领创企业利亚德参股的。

⑤ 中国高端通用芯片概况

我这里有一个副本。然后给你一个副本。

1月2日，2011
中国IC产业的发展状况，中国IC产业的发展现状IC产业的发展
关键词：中国集成电路的现状
集成电路产业是一个知识密集，技术密集和资金密集的产业，世界集成电路产业的快速发展，快速的技术变化。 2003年前后，中国的IC产业都从一个质或量并不发达，但沿带的向东转移，全球汽车行业，中国的稳定的经济增长，庞大的国内市场，以及大量的人才潮，中国的IC产业已经成为新的世界集成电路制造中心。进入21世纪，中国必须加强电子信息产业的发展。这是推动中国经济发展的支柱，促进科学的进步和技术的一个重要手段，以提高中国的综合实力。 IC产业，电子信息产业基地，必须优先考虑的发展。只有那些拥有了坚实的集成电路产业，为了有效地支持了中国的经济，军事，科技和社会的发展，第三步发展战略目标的实施。
，中国集成电路产业的快速发展，为2.22亿美元和585亿人民币的销售额，在1998年，中国的IC生产。到2009年，中国的IC生产了411亿，销售收入111亿元，12年的生产和销售增加了18.5倍和20倍，分别为38.1％的年均增长速度为40.2％，分别，与销售的增长率远远高于同期全球年均增长速度为6.4％。其次，中国IC产业的显着变化，2008年中国的IC产业在发展过程中的重大变化的一年。全球金融危机是不是唯一的世界半导体市场的衰退，以及产品显著减少中国的出口，占约1/3的中国出口总额的，对电子信息产品的增长下降，相应减少的需求，其核心部件集成电路产品。人民币升值，但也影响了行业的发展，一个不容忽视的因素，可以的，因为在国内销售的集成电路产品直接出口占70％左右，人民币升值对出口贸易的影响具有重要的美元作为结算货币，人民币兑美元升值1％，国内集成电路产业的整体销售增长，在即将到来的2011年，为加快人民币的升值将减少1.2至1.4个百分点，是一个问题。 ，产品销售概述中国的IC中国IC产品销售概述设定在2008年中国IC产业的周期性衰退的产业发展呈现一个增长季度季度下降只有124.682十亿元，年销售总额，比2007年减少0.4％，从未有过的负增长;一年四季的IC生产到四十一点七一四亿美元，同比增长1.3％，与2007年相比，唯一的。近年来，中国的集成电路产品的生产和销售，在图1和图2所示，由图
图1 2003-2008年中国集成电路产量增长
图2 2003-2008年集成电路产品销售额增加可见的是，在最近几年，中国的IC产品销售增加一年的一年，但增长缓慢的速度，这是因为中了5个年来的州立委员会文件第18号颁布后，中国的IC产业产品销售已被该增加的平均每年增长速度超过30％的速度，这期间世界三倍的增长速度的集成电路，是一个国家的快速发展阶段，在正常情况下，中国集成电路产业的平均每年增长率也将维持在1.5倍左右世界的增长率是已经高速的发展，因此，在2007年的年度增长速度，中国的IC产业逐渐慢下来应该是一个正常状态的事务中的世界IC产业周期性低谷阶段，年均增长率约20％仍是一种罕见的高速。从美国的次贷危机，世界经济开始逐步扩展形式的世界金融危机，然后蔓延到实体经济部门从2008年
影响中国的IC产业，到第三季度，国际金融危机影响显着在第四季度爆发后，中国的集成电路产业销售大幅下降，潜水表。图3是一个过程，这个变化。
图3 2006Q1-2008Q4的IC产品销售收入与上一年年（季）的工业环境的改善，中国的IC产业的增长速度发展经受住金融危机的影响政策是非常重要的。 2008年1月，教育部，财政部和国家税务总局颁布了多项优惠政策，企业所得税的通知“（财税[2008] 1号），高度重视集成电路企业享受所得税优惠。最近通过的电子信息产业调整和振兴规划，又把“建立自我控制IC产业体系”作为未来发展的国内信息产业的三个关键任务的五个主要发展倡议明确提出“加大投入，集中力量实施的集成电路的升级。 “由国务院于2005年发布的”国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006━2020年）“（国发[2005] 44号），决定和安排的16项重大项目，其中包括”核心电子器件，高端通用芯片及基础软件产品“和”超大规模集成电路制造装备及成套的一批重大项目的前两列在2008年4月，国务院常务会议审议原则上批准的两个重大项目的实施方案，特别涉及相关领域提供了一个良好的发展机遇。各级中国政府继续实施积极的支持集成电路产业的发展及相关政策有一个积极的影响对中国集成电路产业的发展。第四，需求的IC产品市场在中国，近年来，需求的IC产品在中国市场的快速发展，中国的电子信息产品制造，呈现了快速发展的状态的事务和关注的问题，即使在全球半导体产业的需求，中国的IC产品在国内和国际半导体行业的低迷和在2008年出现了负增长，
寻求市场仍然保持了增长的势头，这是维护信息产品制造业销售的10％以上正增长。中国IC市场的需求在最近几年中，量的变化情况如图4所示。
2004-2008年间，中国的IC市场需求超过V，中国的IC产业的结构设计，制造和装配和测试行业的行业同时增长，的水平?＆e和生产能力的半导体设备和材料产业链基本形成。有了一个数年以前的IC设计产业和加快发展的芯片制造和设计业，芯片制造业所占比例逐渐增加，国内集成电路产业的结构变得越来越合理。设计行业的销售在2006年是18.62十亿元，一个增加49.8％，与2005年相比，2007年的销售额22.57十亿人民币，比2006年增加了21.2％。芯片制造业2006年的销售额为32.35十亿人民币，与2005年相比，同比增长38.9％; 2007年销售397900000美元，相比2006年的增长速度，23.0％。包装和测试产业，2006年销售收入49.66十亿元，同比增长43.9％，与2005年相比，2007年销售62.77十亿人民币的增长为26.4％，较2006年。中国的设计业，芯片制造，封装及测试业销售在2001年分别为1.1亿元人民币，27.2亿十亿元，16.11元，分别占年度销售总额的5.6％，13.6％，80.8％和产业结构不使用合理。在过去的五年，行业规模不断扩大，在同一时间，在在IC工业结构逐步合理的设计业和芯片制造业所占的比例显着增加。中国的IC设计业，芯片制造，封装及测试业销售在2007年分别为22.55十亿元，39.69十亿人民币，62.77十亿人民币，占年度销售总额的18.0％，31.7％，50.2％，半导体设备和材料的研发和生产能力也越来越大。在设备方面，65纳米开始导入生产，中芯国际与IBM 45纳米技术的合作， FBP（平面凸点封装）和多
芯片封装（MCP）等先进封装技术研制成功并投入生产，8英寸100纳米等离子刻蚀机的自主开发和大角度离子注入机，12 - 英寸硅片的生产线，8英寸和12英寸硅单晶材料，开发了国内的硅晶片和光致抗蚀剂的生产能力和供应能力不断增强。
但是在2008年，国内IC设计，芯片制造和封装测试业均不同程度地受到市场低迷的影响，其中芯片制造业是最明显的，每年的芯片制造规模的增长从23在2007年的％-1.3％，主要的芯片制造公司有闲置的容量，性能的下降;封装测试业的订单普遍下降，开工率，每年的增长率为-1.4％，IC设计业也受国内市场需求的增长放缓的影响，部分原因是由于的重点企业在技术升级和产品创新方面所作的努力，承受的市场需求疲软的影响，每年的增长率保持正增长状态，为4.2％，高于国内IC产业的整体增长。图5。
中国集成电路产业的基本结构52008
六，集成电路技术的发展，集成电路技术的发展，技术创新能力不断提高，不断缩小与国外先进水平的差距。英寸生产线，从一开始的改革开放，发展到目前的IC制造工艺的12英寸生产线，以推进深亚微米级的包装和测试了很多处理模块从低端向R＆ D，先进的加工技术已经达到了100纳米。高端，在SOP，PGA，BGA，FC，CSP，SiP和其他先进封装形式的开发和生产取得了令人瞩目的成就
大大提高了水平的IC设计，设计容量小于或等于0.5微米的企业比例已经超过了60％，设计产能0.18微米的企业占了相当大比例的一部分，企业的设计水平已达到国内先进水平的100纳米。国内IC设计公司的设计产能超过一百万的规模的比例已经上升到超过20％的最大设计有超过50万的水平。相当数量的IC已投入批量生产，不仅要满足国内市场的需求，和一些还进入了国际市场。总之，IC产业是的核心战略，在信息产业和现代制造业，它已成为的顶部优先级的信息产业在一些国家，中国集成电路的发展行业在2011年鼓励更好的发展环境，将进一步加大国家政府的支持下，新的扶持政策将尽快，以支持研究和开发的资金将增加的国内市场，中国IC产业更广阔的空间将继续保持较快的发展速度，占全球市场份额的比例将进一步增加！
附录：附录：中国的IC产业发展大事记（摘自网络）的发展中国的IC产业大事记（摘自网络）在1947年，在美国贝尔实验室发明了晶体管。在1956年，中国提出的“行军”的科学，半导体技术的国家4紧急措施之一。在1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出的锗晶体。XI中国社科院科学，应用物理研究所，二机部第十局开发的锗晶体管。今年以来，中国已经开发出一种锗点接触型二极管，三极管（晶体管）1959年，天津制定的硅（Si）单晶。在1962年，天津制定砷化镓单晶（GaAs）的编制的其他化合物半导体的研究奠定了基础。在1962年，中国的研究制成硅外延工艺和开始，以研究凹版印刷，平版印刷过程。在1963年，河北研究所半导体，硅平面晶体管制成的。在1964年，河北半导体研究所开发了一个硅外延平面晶体管。1965年12月，在河北半导体研究所召开鉴定会，确定了第一批半导体DTL（二极管 - 晶体管逻辑）数字逻辑电路，并在国内首次发现。1966年底，上海工厂在组件武昌识别的TTL电路产品。双极型数字集成电路这些小规模的，主要在主NAND门，以及与非驱动，及其“门，”或非“门，”或“门，以及NOR电路商标中国做出了自己的小规模集成电路。在1968年，国有东光电工厂（878厂），上海无线电19厂，于1970年建成投产，形成IC产业在中国，“啪”的形成。在1968年，的的上海无线电14厂第一次提出的PMOS（P型金属 - 氧化物 - 半导体）电路（MOSIC）。打开中国的发展MOS电路的序幕，并在七十年代初期，永川，中国科学院半导体研究所（现在? -24），14家工厂和878株已研制成功的NMOS电路。
CMOS电路的发展。七十年代初，国家推出IC制造商，超过40内置IC工厂的热潮。 1972年，中国的第一片PMOS LSI电路在四川永川，研究所半导体，成功地开发。在1973年，七家单位是引入一个单件设备从国外引进，期望建成七英寸工艺线最后只有北京878厂1976年11月，航天部陕西骊山771和都匀4433厂。，中科院计算所研制成功的10万大型电子计算机电路用于中国社科院科学，109厂（现学院微电子中心） ECL（发射极耦合逻辑）电路，1982年，江苏省无锡市江南无线电器材厂（742厂）IC生产线完成验收投入这是中国第一次从国外引进集成电路技术，1982年10月，国务院为了加强全国计算机和大规模集成电路，建立了万里副总理为组长的领导小组，“电子计算机和大规模集成电路领导开发的IC发展规划，提出了”六个五“期间半导体工业进行技术改造。 1983年，长介绍，重复的项目，LSI的国务院领导小组，治散有序与无序，集成电路成立的北部和南部的基地和重点发展战略，南方基地主要是指江苏的北方基地，浙江，北京，天津，沉阳，一个点指西安，主要是支持航天。 1986年，电子部厦门集成电路发展战略研讨会，在第七个五年计划“，中国的IC技术发展战略的”531“期间提出的，在5微米技术，开发3微米技术，1普及微米技术，科学和技术，1989年2月，机电工程署处，在无锡举行，“八五的IC发展战略研讨会”，以加快基地建设，形成生产，注重发展的专用电路，加强科研和支撑条件，振兴集成电路产业发展战略，1989年8月8日，工厂和永川半导体研究所，无锡分公司合并，中国华经742电子集团有限公司在1990年10月，国家规划委员会和电气系联合举办在北京的领导和专家参加的座谈会，向中国共产党中央委员会的报告，决定实施九O八工程，在1995年，电子部第九个五年计划“集成电路的发展战略：以市场为导向的CAD为突破口，研究相结合，我们主动出击，国际合作，加强招商引资力度，加强对重点工程和技术创新能力建设，促进集成电路产业进入一个良性的循环。电子部和国家外国专家局于1995年10月，在北京举行的一个联合论坛在国内和国外的专家献计献策，加快发展中国的IC产业。国务院在11月，工信部电子特别报告，以确定实施的909个项目。 1997年7月17日，上海华虹NEC电子有限公司，有限公司，上海华虹集团和日本NEC公司的合资成立，总投资1.2十亿美元，注册资本700万美元华虹NEC是主要负责“909”工程超大规模集成电路芯片生产线项目。 1998年1月18日，“908”机构的工作成化泾工程通过对外承包接受，从朗讯科技公司进口的0.9微米的生产线已经有一个月的投票，6000的6英寸晶圆产能。 1998年1月，中国集成电路设计中心，以国内和国际用户推出了熊猫2000系统，这是中国的自主研发的一套EDA系统，以满足在亚微米和深亚微米工艺的需要，可以处理的规模百万门级，支持高层次的设计。 1998年2月28日，中国第一家8英寸单晶硅抛光晶圆生产线的建成投产，
半导体材料北京有色金属研究院国家工程研究中心。 1998年4月，集成电路“908”项目的九个产品设计及研发中心项目验收批出9个设计中心，信息产业部电子第十五研究所，工业和信息化部在4个研究所上海IC设计公司的设计中心，尤先科，深圳，杭州东方设计中心设计中心，广东专用电路，武器第二个14研究所，北京机械工业自动化和航空航天工业771研究所。这些设计中心，华晶六英寸生产线项目配套建设。 1998年3月，自行设计和开发，由西安交通大学开元集团微电子技术有限公司，有限公司中国第一个-CMOS微型彩色摄像头芯片的开发成功，我们的愿景芯片设计和开发工作，取得了可喜的成绩。 1999年2月23日，上海华虹NEC电子有限公司，公司完成试流片的技术档次从计划的0.5微米至0.35微米的生产线，主导产品64M同步动态存取存储器（S-DRAM），建设 - 和建成投产，标志着中国已经变成一个自己的深亚微米超大规模的集。集成电路芯片生产线。 2000年7月11日，国务院出台了若干政策“鼓励软件产业和集成电路产业”的发展，随后又批准上海，西安，无锡，北京，成都，杭州和科学技术部深圳。共有7个国家集成电路设计产业化基地。 2001年2月27日，单晶直径8英寸的硅抛光片国家高技术产业化示范工程建成投产有色金属研究总院北京3月28日，国务院第36次常务会议通过超大规模集成电路图设计保护条例“。 “2002年9月28日，在中国社科院科学的龙芯1号诞生，同年11月，第四十六届研究所，中国电子科技集团公司成功开发了第一个6英寸直径半绝缘砷化镓单晶，实现我们的6英寸，直径半绝缘砷化镓单晶开发零的突破在3月11日，2003年，杭州士兰微电子有限公司以市场，成为国内第一股IC设计，中星微电子在纳斯达克上市的美国在2006年成功上市，立即行动，展讯通信于2007年在美国纳斯达克上市的。国家集成电路产业园，在北京，天津，上海，苏州，宁波，其他的集成电路产业，重点建设“十一五”专项规划“，2008年。

⑥ 汉能再登2018中国500最具价值品牌榜了吗

汉能再登2018中国500最具价值品牌榜， 连续三年居行业第一。

6月21日消息， 20日，由世界品牌实验室(World Brand Lab)主办的第十五届“世界品牌大会”在北京举行，会上发布了2018年《中国500最具价值品牌》分析报告。在这份基于品牌强度、财务数据和消费者行为分析的年度报告中，汉能位列本年度最具价值品牌榜第42位，品牌价值从2016年的628.95亿元人民币，到2017年的885.79亿元人民币，再到2018年的962.56亿元人民币，一年一大步，连续三年在新能源行业居于首位。

汉能首席内容官庄稀海(右一)在圆桌对话中发言，介绍移动能源的品牌战略

在品牌建设上，汉能正经历着“用薄膜太阳能改变世界”到“开创移动能源时代”的转变。庄稀海认为，全球移动能源时代已经全面到来，能源将无处不在，随影随行。而移动能源的关键在于与其他行业融合发展，产生新的竞争力和创造力。汉能将不断加大产品和解决方案的研发投入，赋能行业生态和城市生态，提供一揽子解决方案，用移动能源改变生活，共同引领世界走进移动能源时代。

据悉，本次发布500强榜单的世界品牌实验室(World Brand Lab)是一家国际化、专业性的品牌研究机构，总部在美国纽约，由1999年诺贝尔经济学奖得主、美国哥伦比亚大学教授罗伯特•蒙代尔(Robert Mundell)担任主席，全资附属于全球领先的战略咨询公司世界企业家集团(iceo.com)，专家和顾问来自哈佛大学、耶鲁大学、麻省理工学院、牛津大学、剑桥大学等世界顶级学府。

来源：凤凰网资讯

⑦ 西安半导体行业都有哪些

集成电路设计企业：

1、英飞凌科技（西安）有限公司

2.西安亚同集成电路技术有限公司

3.西安深亚电子有限公司

4.西安联圣科技有限公司

5.西安中芯微电子技术有限公司

6.陕西美欧电信技术有限公司

7.西安爱迪信息技术有限公司

8.西安交大数码技术有限责任公司

9.西安大唐电信公司IC设计部

10.西电科大华成电子股份有限公司。

(7)砷化镓产业链扩展阅读：

半导体分类：

半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物）。

以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

半导体的分类，按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。

此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，但还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

⑧ 我国氮化镓生产巨头

国内有多家氮化镓龙头企业，各自有主打产品，并没有某一个企业垄断了一种化工原料的现象出现。下面梳理一下国内比较知名的氮化镓企业。

一、三安光电

化合物半导体代工，已完成部分GaN的产线布局，是氮化镓的龙头。三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售，产品性能指标居国际先进水平。

二、闻泰科技

其安世入股的Transphorm获得了车规级认证，车载GaN已经量产，全球最优质的氮化镓供应商之一。

公司主营通讯和半导体两大业务板块，目前已经形成从芯片设计、晶圆制造、半导体封装测试到产业物联网、通讯终端、笔记本电脑、IoT、汽车电子产品研发制造于一体的庞大产业布局。通讯业务板块包括手机、平板、笔电、IoT、汽车电子等领域。

三、耐威科技

公司目前的第三代半导体业务主要是指GaN(氮化镓)材料的生长与器件的设计，公司已成功研制8英寸硅基氮化镓外延晶圆，且正在持续研发氮化镓器件。

北京耐威科技股份有限公司以传感技术为核心，紧密围绕物联网、特种电子两大产业链，一方面大力发展MEMS、导航、航空电子三大核心业务，一方面积极布局无人系统、第三代半导体材料和器件等潜力业务，致力于成为具备高竞争门槛的一流民营科技企业集团。

公司主要产品及业务包括MEMS芯片的工艺开发及晶圆制造、导航系统及器件、航空电子系统等，应用领域包括通信、生物医疗、工业科学、消费电子、航空航天、智能交通等。

公司业务遍及全球，客户包括特种电子用户以及全球DNA/RNA测序仪巨头、新型超声设备巨头、网络通信和应用巨头以及工业和消费细分行业的领先企业。

四、南大光电

公司的高纯磷烷、砷烷研发和产业化项目已经列入国家科技重大专项。高纯磷烷和高纯砷烷都是LED、超大规模集成电路、砷化镓太阳能电池的重要原材料。

MO源是MOCVD技术生长化合物半导体超薄型膜材料的支撑材料。化合物半导体主要用于制造高亮度发光管、高迁移率晶体管、半导体激光器、太阳能电池等器件，在红外探测、超高速计算机等方面的应用也有着光明的前景。

五、海陆重工

旗下江苏能华微电子科技发展有限公有专业研发、生产以氮化镓( GaN)为代表的复合半导体高性能晶圆，并用其做成功率器件。

苏州海陆重工股份有限公司位于江苏省张家港市开发区，是国内一流的节能环保设备的专业设计制造企业，目前并已初步形成锅炉产品、大型压力容器、核电设备、低温产品、环保工程共同发展的业务格局。

(8)砷化镓产业链扩展阅读

一、氮化镓在新型电子器件中的应用

GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。

用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。

调制掺杂的AlGaN/GaN结构具有高的电子迁移率(2000cm2/v·s)、高的饱和速度(1×107cm/s)、较低的介电常数，是制作微波器件的优先材料；GaN较宽的禁带宽度(3.4eV) 及蓝宝石等材料作衬底，散热性能好，有利于器件在大功率条件下工作。

二、氮化镓在光电器件中的应用

GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料，GaN及其合金的带隙覆盖了从红色到紫外的光谱范围。自从1991年日本研制出同质结GaN蓝色 LED之后，InGaN/AlGaN双异质结超亮度蓝色LED、InGaN单量子阱GaNLED相继问世。

目前，Zcd和6cd单量子阱GaN蓝色和绿色 LED已进入大批量生产阶段，从而填补了市场上蓝色LED多年的空白。以发光效率为标志的LED发展历程见图3。

蓝色发光器件在高密度光盘的信息存取、全光显示、激光打印机等领域有着巨大的应用市场。随着对Ⅲ族氮化物材料和器件研究与开发工作的不断深入，GaInN超高度蓝光、绿光LED技术已经实现商品化，现在世界各大公司和研究机构都纷纷投入巨资加入到开发蓝光LED的竞争行列。

⑨ 太阳能电池是根据向日葵制作的吗

是的。

x2伺服电机（包括安装支架，便于组装）

x4光敏电阻

x4 20 KOhm电阻

x1 RGB LED（共阴极）

x1 Arino Uno

x1面包板

x18 M/M电线

x1太阳能电池板

我通过拆卸廉价的庭院灯并将面板串联焊接来制造我的太阳能电池板。你可以在以下链接找到这些灯：太阳能灯花园。

第二步：工作原理：

逻辑该程序非常简单：一旦在void setup（）中测量每个光敏电阻的串行值，就会计算出四个值的算术平均值：该值相当于影响面板的平均光强度，并且是整个程序所基于的参考值。

在void loop（）中，执行四个光敏电阻值的连续串行测量。为了使面板沿Y轴跟随太阳，计算光敏电阻器A0-A1（存储在down_averageD中）和A2-A3（存储在up_averageD中）的平均值。之后，询问“if”是否为“down_averageD》 up_averageD”。如果确实如此，则面板从光敏电阻器A0-A1接收更多光，因此如果相反，则必须向上移动。考虑到成对的光敏电阻A0-A2和A1-A3，对X轴进行相同的处理。

RGB LED的颜色从红色切换为绿色，具体取决于测量的平均光量。空隙回路中的四个光敏电阻，表示面板产生的能量。

步骤3：代码＆amp;结构

结构是手工制作的：

为了保持伺服电机，我买了一些低成本的金属支架，我用钳子和锤子连续弯曲。伺服电机必须以90度的角度安装在另一个上，这样它们可以沿X轴移动一个，沿Y轴移动另一个。